Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 4 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305, Con anillo de seguridad
Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 8 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305
Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 8 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305, Con anillo de seguridad
Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 1 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305, Con anillo de seguridad
Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 1 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305
Memoria USB, Celda de un solo nivel (SLC) NAND-Flash, Almacenamiento de datos: 4 GBit, Sobreprovisionamiento: 5 %, USB 2.0, Conector M12 (4 pin/Código A), Método de corrección de errores ECC, Temperatura de trabajo: -40...+70 °C, Protección: IP65/IP67, Material de la carcasa: Acero inoxidable 1.4305